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TF262TH-4-TL-H 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - JFET,封裝:3-SMD,扁平引線
  • 技術參數:JFET N-CH 1MA 100MW
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TF262TH-4-TL-H 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:TF262TH-4-TL-H
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:JFET N-CH 1MA 100MW
  • 系列:晶體管 - JFET
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 電壓-擊穿(V(BR)GSS):-
  • 漏源電壓(Vdss):-
  • 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss):140μA @ 2V
  • 漏極電流(Id)-最大值:1mA
  • 不同Id時電壓-截止(VGSoff):200mV @ 1μA
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3.5pF @ 2V
  • 電阻-RDS(On):-
  • 功率-最大值:100mW
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:3-SMD,扁平引線
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