- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
- 技術參數:IGBT 600V 6A 30W TO220
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SGP6N60UFDTU 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:SGP6N60UFDTU
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:IGBT 600V 6A 30W TO220
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列:-
- 零件狀態:停產
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):6A
- 電流-集電極脈沖(Icm):25A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,3A
- 功率-最大值:30W
- 開關能量:57μJ(開),25μJ(關)
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:15nC
- 25°C時Td(開/關)值:15ns/60ns
- 測試條件:300V,3A,80 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):52ns
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-220-3
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