- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 技術參數:TRANSISTOR PNP BIPO
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S1JVNJD2873T4G 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:S1JVNJD2873T4G
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:TRANSISTOR PNP BIPO
- 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 產品系列:-
- 零件狀態:有源
- 晶體管類型:NPN
- 電流-集電極(Ic)(最大值):2A
- 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 50mA,1A
- 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,2V
- 功率-最大值:1.68W
- 頻率-躍遷:65MHz
- 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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