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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個，封裝：TO-261-4，TO-261AA
- 技術參數：IC POWER MANAGEMENT
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PZT3904_F081 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：PZT3904_F081
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IC POWER MANAGEMENT
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- 晶體管類型：NPN
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：200mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：40V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA
- 電流-集電極截止（最大值）：-
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
- 功率-最大值：1W
- 頻率-躍遷：300MHz
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-261-4，TO-261AA
- PZT3904_F081優勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
