- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:-
- 技術(shù)參數(shù):IGBT PCHG2N120W
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PCHG2N120W 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:PCHG2N120W
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:IGBT PCHG2N120W
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):最後搶購
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):-
- 電流-集電極(Ic)(最大值):-
- 電流-集電極脈沖(Icm):-
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):-
- 功率-最大值:-
- 開關(guān)能量:-
- 輸入類型:-
- 柵極電荷:-
- 25°C時Td(開/關(guān))值:-
- 測試條件:-
- 反向恢復(fù)時間(trr):-
- 工作溫度:-
- 安裝類型:-
- 封裝:-
- PCHG2N120W優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
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