
- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:26-PowerDIP 模塊(1,199,47,20mm)
- 技術(shù)參數(shù):IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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NXH35C120L2C2ESG 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):NXH35C120L2C2ESG
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
- 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類型:-
- 配置:三相反相器,帶制動(dòng)器
- 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):35A
- 功率-最大值:20mW
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,35A
- 電流-集電極截止(最大值):250μA
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies):8.333nF @ 20V
- 輸入:三相橋式整流器
- NTC熱敏電阻:是
- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:26-PowerDIP 模塊(1,199,47,20mm)
- NXH35C120L2C2ESG優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。

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