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NVMFD5C672NLT1G 圖片
  • 制造廠(chǎng)商:安森美
  • 類(lèi)別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerTDFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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NVMFD5C672NLT1G 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):NVMFD5C672NLT1G
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類(lèi)型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):12A(Ta),49A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):11.9 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.2V @ 30μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):5.7nC @ 4.5V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):793pF @ 25V
  • 功率-最大值:3.1W(Ta),45W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerTDFN
  • NVMFD5C672NLT1G優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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