- 制造廠(chǎng)商:安森美
- 類(lèi)別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerTDFN
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
NVMFD5C672NLT1G 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):NVMFD5C672NLT1G
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài):有源
- FET類(lèi)型:2 N-通道(雙)
- FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓(Vdss):60V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):12A(Ta),49A(Tc)
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):11.9 毫歐 @ 10A,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.2V @ 30μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):5.7nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):793pF @ 25V
- 功率-最大值:3.1W(Ta),45W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
- 封裝:8-PowerTDFN
- NVMFD5C672NLT1G優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)onsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)