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NVMFD5873NLWFT1G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerTDFN
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
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NVMFD5873NLWFT1G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NVMFD5873NLWFT1G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):10A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):13 毫歐 @ 15A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30.5nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1560pF @ 25V
  • 功率-最大值:3.1W
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerTDFN
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