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NVMFD030N06CT1G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerTDFN
  • 技術參數:MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
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NVMFD030N06CT1G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NVMFD030N06CT1G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):7A(Ta),19A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):29.7 毫歐 @ 3A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 13μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):4.7nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):255pF @ 30V
  • 功率-最大值:3.2W(Ta),23W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerTDFN
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