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NVD5863NLT4G 圖片

NVD5863NLT4G

制造廠商：安森美
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：DPAK
技術參數：MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
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NVD5863NLT4G 技術參數詳情：

制造商產品型號：NVD5863NLT4G
制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
產品系列：-
零件狀態：停產
FET類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
25°C時電流-連續漏極(Id)：14.9A（Ta），82A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：7.1 毫歐 @ 41A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3850pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），96W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
器件封裝：DPAK
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