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NTP8G202NG 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-220-3
  • 技術參數:GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
  • 豐富的安森美公司產品,安森美芯片采購平臺
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NTP8G202NG 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NTP8G202NG
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:GaNFET(氮化鎵)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):9A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):8V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):350 毫歐 @ 5.5A,8V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.6V @ 500μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):9.3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±18V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):760pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):65W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:TO-220-3
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