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NTLJS7D2P02P8ZTAG 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:6-PQFN(2x2)
  • 技術參數:MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
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NTLJS7D2P02P8ZTAG 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NTLJS7D2P02P8ZTAG
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):7.9A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):9mOhm @ 10A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):26.7nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2790pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):860mW(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:6-PQFN(2x2)
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