
- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-WDFN
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格

NTLJD3119CTAG 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):NTLJD3119CTAG
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:μCool?
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:N 和 P 溝道
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):2.6A,2.3A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):65 毫歐 @ 3.8A,4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):3.7nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):271pF @ 10V
- 功率-最大值:710mW
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:6-WDFN
- NTLJD3119CTAG優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺(tái)。

芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)onsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購IC芯片,是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)