產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-WDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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NTLJD3115PT1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTLJD3115PT1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：2.3A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 2A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.2nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：531pF @ 10V
- 功率-最大值：710mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-WDFN
- NTLJD3115PT1G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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