- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:ChipFET?
- 技術參數(shù):MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
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NTHD4N02FT1 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:NTHD4N02FT1
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:N 通道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.9A(Tj)
- 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):80 毫歐 @ 2.9A,4.5V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):4nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):300pF @ 10V
- FET功能:肖特基二極管(隔離式)
- 功率耗散(最大值):910mW(Tj)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:ChipFET?
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