
- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SMD,扁平引線
- 技術參數:MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
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NTHD3102CT1G 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:NTHD3102CT1G
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產品系列:-
- 零件狀態:有源
- FET類型:N 和 P 溝道
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):20V
- 25°C時電流-連續漏極(Id):4A,3.1A
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):45 毫歐 @ 4.4A,4.5V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):7.9nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):510pF @ 10V
- 功率-最大值:1.1W
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:8-SMD,扁平引線
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