- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
NTGD4161PT1G 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):NTGD4161PT1G
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:2 個(gè) P 溝道(雙)
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):1.5A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):160 毫歐 @ 2.1A,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):7.1nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):281pF @ 15V
- 功率-最大值:600mW
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
- NTGD4161PT1G優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)onsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)