產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1.2KV 40A TO247-3
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NGTB40N120S3WG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NGTB40N120S3WG
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1.2KV 40A TO247-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：160A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：160A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，40A
- 功率-最大值：454W
- 開關(guān)能量：2.2mJ（開），1.1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：212nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：12ns/145ns
- 測試條件：600V，40A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：163ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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