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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術參數：IGBT 9A 600V DPAK
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NGTB03N60R2DT4G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NGTB03N60R2DT4G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 9A 600V DPAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：9A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：12A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，3A
- 功率-最大值：49W
- 開關能量：50μJ（開），27μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：17nC
- 25°C時Td（開/關）值：27ns/59ns
- 測試條件：300V，3A，30 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：65ns
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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