產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：單路IGBT，D2PAK
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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NGB8207BNT4G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGB8207BNT4G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
- 系列：-
- IGBT 類型：-
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：365V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.6V @ 4V，20A
- 功率 - 最大值：165W
- Switching Energy：-
- 輸入類型：邏輯
- Gate Charge：-
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：-
- Test Condition：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
- 產(chǎn)品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
- NGB8207BNT4G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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