產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
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NCP81075DR2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NCP81075DR2G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
- 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 驅(qū)動(dòng)配置：高壓側(cè)或低壓側(cè)
- 通道類型：獨(dú)立式
- 驅(qū)動(dòng)器數(shù)：2
- 柵極類型：N 溝道 MOSFET
- 電壓-供電：8.5V ~ 20V
- 邏輯電壓?-VIL，VIH：0.8V，2.7V
- 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：4A，4A
- 輸入類型：非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：200V
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：8ns，7ns
- 工作溫度：-40°C ~ 140°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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