- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置,封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 技術(shù)參數(shù):TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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MUN5313DW1T1 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:MUN5313DW1T1
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
- 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- 晶體管類型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙)
- 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
- 電阻器-基極(R1):47 千歐
- 電阻器-發(fā)射極(R2):47 千歐
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
- 電流-集電極截止(最大值):500nA
- 頻率-躍遷:-
- 功率-最大值:250mW
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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