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MMBFJ111 圖片
  • 制造廠商：安森美
  • 類別封裝：晶體管 - JFET，封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 技術參數：JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
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MMBFJ111 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：MMBFJ111
  • 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
  • 描述：JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
  • 系列：晶體管 - JFET
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：N 通道
  • 電壓-擊穿(V(BR)GSS)：35V
  • 漏源電壓（Vdss）：-
  • 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss)：20mA @ 15V
  • 漏極電流(Id)-最大值：-
  • 不同Id時電壓-截止(VGSoff)：3V @ 1μA
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • 電阻-RDS(On)：30 Ohms
  • 功率-最大值：350mW
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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