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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術參數：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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MJD112T4G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：MJD112T4G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：2A
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：100V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：3V @ 40mA，4A
- 電流-集電極截止（最大值）：20μA
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：1000 @ 2A，3V
- 功率-最大值：20W
- 頻率-躍遷：25MHz
- 工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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