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MC1413DR2G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列,封裝:16-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • 技術參數:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
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MC1413DR2G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:MC1413DR2G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
  • 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列
  • 零件狀態:有源
  • 晶體管類型:7 NPN 達林頓
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):500mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
  • 電流-集電極截止(最大值):-
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
  • 功率-最大值:-
  • 頻率-躍遷:-
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:16-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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