- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
- 技術參數:IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
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HGTG5N120BND 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:HGTG5N120BND
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列:-
- 零件狀態:不適用於新設計
- IGBT類型:NPT
- 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):21A
- 電流-集電極脈沖(Icm):40A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,5A
- 功率-最大值:167W
- 開關能量:450μJ(開),390μJ(關)
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:53nC
- 25°C時Td(開/關)值:22ns/160ns
- 測試條件:960V,5A,25 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):65ns
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-247-3
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