產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 63A TO247-3
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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HGTG30N60C3D 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGTG30N60C3D
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 63A TO247-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購(gòu)
- IGBT類(lèi)型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：63A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：252A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，30A
- 功率-最大值：208W
- 開(kāi)關(guān)能量：1.05mJ（開(kāi)），2.5mJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：162nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：-
- 測(cè)試條件：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：60ns
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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