
- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 60A 208W TO247
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購平臺
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HGTG30N60B3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:HGTG30N60B3
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:IGBT 600V 60A 208W TO247
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):最後搶購
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
- 電流-集電極脈沖(Icm):220A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A
- 功率-最大值:208W
- 開關(guān)能量:500μJ(開),680μJ(關(guān))
- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:170nC
- 25°C時Td(開/關(guān))值:36ns/137ns
- 測試條件:480V,30A,3 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時間(trr):-
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-247-3
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