產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 40A 165W TO247
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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HGTG20N60B3D 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGTG20N60B3D
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 40A 165W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：160A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A
- 功率-最大值：165W
- 開(kāi)關(guān)能量：475μJ（開(kāi)），1.05mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：80nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：-
- 測(cè)試條件：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：55ns
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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