產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
HGTD1N120BNS9A 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGTD1N120BNS9A
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類(lèi)型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：5.3A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：6A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，1A
- 功率-最大值：60W
- 開(kāi)關(guān)能量：70μJ（開(kāi)），90μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：14nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：15ns/67ns
- 測(cè)試條件：960V，1A，82 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
- HGTD1N120BNS9A優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)onsemi代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)