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HGT1S12N60A4S9A 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 技術參數:IGBT 600V 54A 167W TO263AB
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HGT1S12N60A4S9A 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:HGT1S12N60A4S9A
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 600V 54A 167W TO263AB
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):54A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):96A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,12A
  • 功率-最大值:167W
  • 開關能量:55μJ(開),50μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:78nC
  • 25°C時Td(開/關)值:17ns/96ns
  • 測試條件:390V,12A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • HGT1S12N60A4S9A優勢代理貨源,國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
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