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產(chǎn)品參考圖片
FQU6N40CTU_NBEA001 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:I-PAK
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購平臺
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FQU6N40CTU_NBEA001 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:FQU6N40CTU_NBEA001
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:QFET?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):400V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.5A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):1 歐姆 @ 2.25A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):625pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),48W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:I-PAK
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