產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
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FQB6N80TM 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FQB6N80TM
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：QFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：800V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：5.8A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.95 歐姆 @ 2.9A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），158W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
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