FQAF10N80 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:FQAF10N80
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:QFET?
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:N 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):800V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):6.7A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):1.05 歐姆 @ 3.35A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):71nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2700pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):113W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 器件封裝:TO-3PF
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