產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：650V FS GEN3 TRENCH IGBT
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FGY160T65SPD-F085 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FGY160T65SPD-F085
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：650V FS GEN3 TRENCH IGBT
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：240A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：480A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，160A
- 功率-最大值：882W
- 開關(guān)能量：12.4mJ（開），5.7mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：53ns/98ns
- 測試條件：400V，160A，15V
- 反向恢復時間(trr)：132ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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