- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 650V 150A 375W TO247
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FGH75T65SQD-F155 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:FGH75T65SQD-F155
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:IGBT 650V 150A 375W TO247
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類型:溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):150A
- 電流-集電極脈沖(Icm):300A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):-
- 功率-最大值:375W
- 開關(guān)能量:760μJ(開),180μJ(關(guān))
- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:128nC
- 25°C時Td(開/關(guān))值:-
- 測試條件:-
- 反向恢復(fù)時間(trr):43ns
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-247-3
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