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產(chǎn)品參考圖片
FGH60T65SHD-F155 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247
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FGH60T65SHD-F155 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:FGH60T65SHD-F155
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):120A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):180A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,60A
  • 功率-最大值:349W
  • 開關(guān)能量:1.69mJ(開),630μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:102nC
  • 25°C時Td(開/關(guān))值:26ns/87ns
  • 測試條件:400V,60A,6 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):34.6ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
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