產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 6A 60W DPAK
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FGD3N60UNDF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGD3N60UNDF
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 6A 60W DPAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：6A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：9A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.52V @ 15V，3A
- 功率-最大值：60W
- 開關(guān)能量：52μJ（開），30μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：1.6nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：5.5ns/22ns
- 測(cè)試條件：400V，3A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：21ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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