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FGD3050G2V 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • 技術參數:IGBT 500V 27A DPAK-3
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FGD3050G2V 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FGD3050G2V
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 500V 27A DPAK-3
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:*
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):500V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):32A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A
  • 功率-最大值:150W
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:邏輯
  • 柵極電荷:22nC
  • 25°C時Td(開/關)值:-
  • 測試條件:-
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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