產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT NPT 600V 10A D2PAK
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FGB5N60UNDF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGB5N60UNDF
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT NPT 600V 10A D2PAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：15A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，5A
- 功率-最大值：73.5W
- 開關(guān)能量：80μJ（開），70μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：12.1nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：5.4ns/25.4ns
- 測(cè)試條件：400V，5A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：35ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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