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熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
FGB30N6S2T 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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FGB30N6S2T 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):FGB30N6S2T
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類(lèi)型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):45A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):108A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A
  • 功率-最大值:167W
  • 開(kāi)關(guān)能量:55μJ(開(kāi)),110μJ(關(guān))
  • 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:23nC
  • 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:6ns/40ns
  • 測(cè)試條件:390V,12A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • FGB30N6S2T優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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