FGB30N6S2 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:FGB30N6S2
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:IGBT 600V 45A 167W TO263AB
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):45A
- 電流-集電極脈沖(Icm):108A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A
- 功率-最大值:167W
- 開關(guān)能量:55μJ(開),100μJ(關(guān))
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:23nC
- 25°C時Td(開/關(guān))值:6ns/40ns
- 測試條件:390V,12A,10 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):-
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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