- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3 整包
- 技術參數:IGBT 650V 30A TO-3PF
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FGAF30S65AQ 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:FGAF30S65AQ
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:IGBT 650V 30A TO-3PF
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列:-
- 零件狀態:最後搶購
- IGBT類型:溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
- 電流-集電極脈沖(Icm):90A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
- 功率-最大值:83W
- 開關能量:515μJ(開),140μJ(關)
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:58nC
- 25°C時Td(開/關)值:18ns/92ns
- 測試條件:400V,15A,13 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):267ns
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-3P-3 整包
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