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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SOT-563，SOT-666
- 技術參數：MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
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FDY1002PZ 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FDY1002PZ
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：PowerTrench?
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 個 P 溝道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：830mA
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：500 毫歐 @ 830mA，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.1nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：135pF @ 10V
- 功率-最大值：446mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-563，SOT-666
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