- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-PQFN(5x6)
- 技術參數:MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
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FDMS8670S 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:FDMS8670S
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產品系列:PowerTrench?, SyncFET?
- 零件狀態:停產
- FET類型:N 通道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id):20A(Ta),42A(Tc)
- 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.5 毫歐 @ 20A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):73nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4000pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),78W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:8-PQFN(5x6)
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