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FDMS001N025DSD 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerWDFN
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
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FDMS001N025DSD 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FDMS001N025DSD
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:PowerTrench?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N 溝道(雙)非對稱型
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):25V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):19A(Ta),69A(Tc),38A(Ta),165A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.25 毫歐 @ 19A,10V,920μOhm @ 38A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 320μA,3V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC,104nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1370pF,5105pF @ 13V
  • 功率-最大值:2.1W(Ta),26W(Tc),2.3W(Ta),42W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerWDFN
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