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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
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FDMC8200S_F106 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FDMC8200S_F106
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：*
- 零件狀態：停產
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：6A，8.5A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 6A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：660pF @ 15V
- 功率-最大值：700mW，1W
- 工作溫度：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerWDFN
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