- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SuperSOT?-6 FLMP
- 技術參數:MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
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- 提供當日發貨、嚴格的質量標準,滿足您的目標價格
FDC796N 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:FDC796N
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產品系列:PowerTrench?
- 零件狀態:停產
- FET類型:N 通道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id):12.5A(Ta)
- 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):9 毫歐 @ 12.5A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 5V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1444pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:SuperSOT?-6 FLMP
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