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熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
2SK3666-3-TB-E 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - JFET,封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技術(shù)參數(shù):JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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2SK3666-3-TB-E 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):2SK3666-3-TB-E
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
  • 系列:晶體管 - JFET
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 電壓-擊穿(V(BR)GSS):-
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 不同Vds(Vgs=0)時(shí)電流-漏極(Idss):1.2mA @ 10V
  • 漏極電流(Id)-最大值:10mA
  • 不同Id時(shí)電壓-截止(VGSoff):180mV @ 1μA
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):4pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On):200 Ohms
  • 功率-最大值:200mW
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 2SK3666-3-TB-E優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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