產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - JFET，封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技術參數(shù)：JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
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2SK3666-3-TB-E 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：2SK3666-3-TB-E
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- 系列：晶體管 - JFET
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 電壓-擊穿(V(BR)GSS)：-
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss)：1.2mA @ 10V
- 漏極電流(Id)-最大值：10mA
- 不同Id時電壓-截止(VGSoff)：180mV @ 1μA
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4pF @ 10V
- 電阻-RDS(On)：200 Ohms
- 功率-最大值：200mW
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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