產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：FET - 單，3-SMD
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 65A ZP
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2SJ683-TL-E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào): 2SJ683-TL-E
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
- 系列: -
- FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）: 60V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 65A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 10.5 毫歐 @ 33A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: -
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 290nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 15500pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 50W
- 安裝類型: 表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝: 3-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝: ZP
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